RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
59
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3136
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link