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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
41
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2416
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XF875V-HYA 8GB
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