RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2967
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link