RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2967
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link