RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2462
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link