RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de -71% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
24
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
2462
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link