RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
41
Autour de -14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2220
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link