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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2711
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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