RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2711
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link