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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB vs Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de 29% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
29
41
Vitesse de lecture, GB/s
11.5
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1892
1958
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB Comparaison des RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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