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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2559
2880
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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