RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2559
2880
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link