Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 35
    Por volta de -35% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.8 left arrow 15.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.5 left arrow 10.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    15.3 left arrow 16.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.0 left arrow 13.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2559 left arrow 2880
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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