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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
49
Autour de 2% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
48
49
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.4
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2852
2534
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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