RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
49
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
13.4
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2852
2534
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link