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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
49
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
49
读取速度,GB/s
16.8
15.8
写入速度,GB/s
13.4
11.0
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2852
2534
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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