RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,001.3
15.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
58
Autour de -152% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,796.5
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,001.3
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
768
3317
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link