RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,001.3
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
58
Около -152% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,796.5
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,001.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
768
3317
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Сравнения RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link