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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
43
Autour de -34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3726
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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