RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
43
Intorno -34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
32
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3726
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link