RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de 40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
43
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2128
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link