RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
2062
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link