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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
27
读取速度,GB/s
14.8
11.4
写入速度,GB/s
8.7
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2062
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Frequency (Mhz) *
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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