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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
13.8
20.3
写入速度,GB/s
8.4
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3507
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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