RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.8
11.4
Скорость записи, Гб/сек
8.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2481
2062
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link