RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
3665
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link