RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de -29% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
24
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
2256
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link