RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около -29% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
10.9
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2256
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link