RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
12800
Autour de 1.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
23400
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2735
3360
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link