RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2618
3544
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link