RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de -36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2740
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link