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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 -36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
25
读取速度,GB/s
16.8
15.2
写入速度,GB/s
11.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2740
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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