RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
2740
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link