RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2298
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link