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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
38
读取速度,GB/s
16.8
14.6
写入速度,GB/s
11.3
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2298
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
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Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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