RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
38
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
38
Velocità di lettura, GB/s
16.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
2298
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link