Comparaison de la RAM G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Note globale

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.2 13.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.5 10.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3067 2179

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns