RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
18.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3067
2179
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link