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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
34
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
3343
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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