RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
20.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
20.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
3343
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link