RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
49
Autour de -104% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2445
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link