RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2445
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link