RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
49
Autour de -123% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2648
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link