RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
49
Autour de -32% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2808
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link