RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2808
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link