RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
86
Autour de 43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.7
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
86
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
5.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1220
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link