RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
2711
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston SNY1333D3S9DR8/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link