RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
62
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3726
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link