RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3726
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link