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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
2988
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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